“刻蝕–濺射"組合機(JR-2B)、“刻蝕–淀積"組合機(CVE-2B)、“刻蝕–淀積"組合機(ICV-500)和“濺射–淀積"組合機(JCV-2B)都是根據用戶要求需設計的,就其功能和性能指標而言與濺射臺、淀積臺、刻蝕機都是相同的,其主要特點是省去了一套電源系統和真空獲得系統,從而以相對優惠的價格滿足不同用戶的要求.
產品主要性能指標
型號 | ICV-500 |
真空系統 | 分子泵機組 |
淀積室規格 | ?400×150mm |
淀積室樣片臺尺寸 | ?290mm(熱均勻區?220mm) |
淀積材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等。 |
淀積速率 | 200 - 300 ?/min (與淀積材料和工藝有關) |
淀積樣片臺加熱溫度 | 300℃ |
淀積不均勻性 | ≤ ±5% |
刻蝕室規格 | ?300×280mm |
刻蝕電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蝕速率 | 0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |