本設備是“標準型等離子體化學氣相淀積臺(PECVD)"的全自動產品。可用來淀積SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等多種薄膜材料,這些薄膜材料在微電子、微機械、光電子、通訊等領域有著廣泛的應用;在能源材料、機械材料、各種無機材料及高分子材料的薄膜制備和表面改性中,也顯示出的功能和巨大的潛力。
詳細描述
本設備通過對真空系統、工作壓強、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動控制,使工藝重復性、穩定性、可靠性得到有效保證。
本設備的數字化參數界面和自動化操作方式為用戶提供了優良的研發和生產平臺。
本設備通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監控、在線狀態記憶、斷點保護等設計,結合各種硬保護裝置、使設備的安全性、可靠性得到有效保證。
本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造,以及能源材料、機械材料,各種無機材料及高分子材料的薄膜制備和表面改性。
產品主要性能指標
型號 | PECVD-802 |
淀積室數量 | 雙室 |
淀積室規格 | ?400×150mm |
樣片臺尺寸 | ?290mm(熱均勻區?220mm) |
加熱溫度 | ≤ 300℃ |
淀積材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等 |
淀積速率 | 200 - 300 ?/min (與淀積材料和工藝有關) |
淀積不均勻性 | ≤ ±5% |
自動化程度 | 真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動化控制。 |
人機界面 | Windows環境、觸摸屏操作 |
操作方式 | 全自動方式、非全自動方式 |
自動化裝置的選配 | 可選擇進口件或國產件 |