中普尼實業集團（海南）有限公司
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表面鈍化技術是提高器件的可靠性穩定性的一項有效的措施
表面鈍化技術是提高器件的可靠性穩定性的一項有效的措施。本設備是半導體器件表面鈍化的專用設備，主要用于半導體器件表面低溫淀積氮化硅、二氧化硅、多晶硅、磷硅玻璃等介質膜。反應室采用承片臺固定的平行電極和的氣流模式，具有結構簡單，操作方便，均勻性重復性好。（第四批替代引進產品）
主要技術參數：
1、主機電源： 380V/50Hz 2.5KW。
2、反應室尺寸： 344×105（mm）。
3、上下電極直徑：250mm（下電極承片）。
4、兩極板間距： 10～30mm可調。
6、裝片數： Ф50mm 15片/次， Ф75mm 6片/次 ， Ф100mm 4片/次。
7、均勻性和重復性： ＜5%。
8、反應室極限真空度： 優于3Pa 。
9、淀積溫度（襯底溫度）： 150℃～350℃自控。
10、淀積速率： 300A°/min（氮化硅） 。
11、真空系統：配用JZJ—30羅茨泵機組，有壓力調節裝置。
12、供氣系統：三路質量流量計。
13、射頻電源：f=13.56MHz，P=1000W 駐波比＜1.5 ，帶有匹配網絡和功率計。
14、外型尺寸： 1120×550×1260（mm） 。
15、重量：150Kg。
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