光刻機介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ~ ?6″
光源 超高壓水銀燈 :500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 :2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2~4″或者?4~6″
光源 超高壓汞燈:500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃, 對齊精度自動對齊:+/- 1 μm(
峰值搜索)
?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈:3.5kW ?200mm規格也可對應
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量(※3)245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50
主要規格
MA-4000 Wafer尺寸 ?2~4″ ?4~6″ 掩膜尺寸 □5″ □7″ 光源 超高壓水銀燈:500W or 1kW 外觀尺寸及重量 本體尺寸 W1340 x D1430 x H1900mm 本體重量 1120kg 選購項 生產管理系統(D-Net)、背面對位、○□基板兼用
MA-4000 | |||
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Wafer尺寸 | ?2~4″ | ?4~6″ | |
掩膜尺寸 | □5″ | □7″ | |
光源 | 超高壓水銀燈:500W or 1kW | ||
外觀尺寸及重量 | 本體尺寸 | W1340 x D1430 x H1900mm | |
本體重量 | 1120kg | ||
選購項 | 生產管理系統(D-Net)、背面對位、○□基板兼用 |
※基板尺寸和水銀燈瓦數及特殊規格可商洽