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CMP是IC芯片制造中的一種硅片表面平坦化工藝

詳細介紹

CMP是IC芯片制造中的一種硅片表面平坦化工藝。通過研磨墊和研磨劑的化學、機械共同作用，消除硅片表面的微觀凹凸，達到平坦化，cmp裝置 ic平坦裝置。

CMP是IC芯片制造中的一種硅片表面平坦化工藝。通過研磨墊和研磨劑的化學、機械共同作用，消除硅片表面的微觀凹凸，達到平坦化。

　ChaMP: 300mm機型

ACCRETECH（東京精密）結合了自身的精密測量技術及半導體設備制造技術，針對300mm 硅片的65nm及以下器件的工藝要求推出了CMP量產(chǎn)設備（ChaMP系列）。

特點1	氣浮式磨頭“Sylphide”

通過懸浮氣膜實現(xiàn)下壓力的均勻分布，達到均勻研磨的目的

通過獨立于懸浮氣膜之外的氣囊實施下壓力的設計特點使得本設備在低下壓力條件下的工藝控制性、穩(wěn)定性特別突出

可實現(xiàn)下壓力分區(qū)控制（選項功能）

特點2	Edge Exclusion1mm條件下仍保持良好的均一性

特點3	穩(wěn)定、準確的壓力控制

特點4	簡易的研磨頭保養(yǎng)、更換

取下：大約5秒


（雙手將扣環(huán)蓋向上推）	用拇指掰開扣環(huán)使Retainer脫落	取下Retainer

安裝：大約十秒

1．雙手握住扣環(huán)慢慢將Retainer推入，輕輕回轉(zhuǎn)Retainer至定位銷入位

2．滑下扣環(huán)蓋使扣環(huán)整體固定

　ChaMP：200mm/150mm機型

用于150/200mm wafer

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