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激光橢偏儀

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產品簡介

簡要描述:激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動準直透鏡確保在大多數平坦反射表面的吸收或透明襯底上進行準確測量。多角度測量的集成支持(40#176;—90#176;,5#176;步進),可用于確定層疊的厚度、折射率和消光系數。為了補償激光橢偏測量中厚度測量的模糊性,在厚度測量中也采用了多角度測量。

詳細介紹

亞埃精度

穩定的氦氖激光器保證了0.1埃精度的超薄單層薄膜厚度測量。

擴展激光橢偏儀的極限

性能優異的多角度手動角度計和角度精度*的激光橢偏儀允許測量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數和膜厚。

高速測量

我們的激光橢偏儀SE 400adv的高速測量速度使得用戶可以監控單層薄膜的生長和終點檢測,或者做樣品均勻性的自動掃描。


激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動準直透鏡確保在大多數平坦反射表面的吸收或透明襯底上進行準確測量。多角度測量的集成支持(40°—90°,5°步進),可用于確定層疊的厚度、折射率和消光系數。為了補償激光橢偏測量中厚度測量的模糊性,在厚度測量中也采用了多角度測量。

SENTECH激光橢偏儀SE 400adv,用于超薄單層薄膜的厚度測量。小型臺式儀器由橢偏儀光學部件、角度計、樣品臺、自動準直透鏡、氦氖激光光源和檢測單元組成。我們的激光橢偏儀SE 400adv的選項支持在微電子、光伏、數據存儲、顯示技術、生命科學、金屬加工等領域的應用。


Atomic layer deposited Al2O3 on silicon waferMulti-angle measurement for determining thickness of SiO2 / Si3N4 / Si (substrate)Manual goniometer with 5°-stepsSE 400adv with controllerX-y mapping stageLaser ellipsometer with microspot optionLaser ellipsometer SE 401adv for in-situ measurement in plasma process technologyLaser ellipsometer with liquid cell



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