詳細摘要: 簡要描述:三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備,以滿足研發的要求。樣品可以通過預真...
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言
北京瑞科中儀科技有限公司
詳細摘要: 簡要描述:三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備,以滿足研發的要求。樣品可以通過預真...
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言詳細摘要: 簡要描述:SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應性氣體,而不受紫外線輻射或離子轟擊。
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言詳細摘要: 簡要描述:原子層沉積設備:真遠程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,在樣品表面提供高通量的反應性氣體,而不受紫外線輻射或離子轟...
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言詳細摘要: 簡要描述:PECVD等離子沉積設備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備,它結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設...
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言詳細摘要: 簡要描述:帶預真空室的化學氣相沉積設備PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標...
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言詳細摘要: 簡要描述:等離子沉積設備低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態密度,使得所沉積的薄膜具有優異的性能。
產品型號:所在地:更新時間:2025-01-01 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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