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VCP系列晶圓級(jí)等離子清洗機(jī)

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編號(hào)內(nèi)容規(guī)格參數(shù)備注1整機(jī)結(jié)構(gòu)帶load port系統(tǒng)分為前端設(shè)備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統(tǒng)與等離子體處理單元分體式設(shè)計(jì)2等離子體源射頻等離子體源或雙頻等離子體源3反應(yīng)腔室標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)為雙反應(yīng)腔室，可根據(jù)需求定制單反應(yīng)腔室和多反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)4機(jī)械傳片單臂或雙臂高精度機(jī)械手5Wafer升降機(jī)械式Wafer pin升降結(jié)構(gòu)，Wafer pin采用特定工藝處理6前真空泵干式真空泵，根據(jù)安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規(guī)···

詳細(xì)介紹

編號(hào)	內(nèi)容	規(guī)格參數(shù)	備注
1	整機(jī)結(jié)構(gòu)	帶load port系統(tǒng)分為前端設(shè)備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統(tǒng)與等離子體處理單元分體式設(shè)計(jì)
2	等離子體源	射頻等離子體源或雙頻等離子體源
3	反應(yīng)腔室	標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)為雙反應(yīng)腔室，可根據(jù)需求定制單反應(yīng)腔室和多反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)
4	機(jī)械傳片	單臂或雙臂高精度機(jī)械手
5	Wafer升降	機(jī)械式Wafer pin升降結(jié)構(gòu)，Wafer pin采用特定工藝處理
6	前真空泵	干式真空泵，根據(jù)安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規(guī)格
7	高真空真空泵	分子泵（水冷或CDA冷卻）
8	工藝壓力控制	自動(dòng)調(diào)壓蝶閥
9	真空檢測(cè)	管道真空計(jì)、反應(yīng)腔室全量程真空計(jì)、工藝真空計(jì)、壓差開關(guān)
10	工藝氣體種類	標(biāo)準(zhǔn)配置高純Ar、N2、O2，可增加其他高純工藝氣體
設(shè)備主要應(yīng)用：晶圓級(jí)封裝前表面預(yù)處理、晶圓級(jí)鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機(jī)殘留去除等。設(shè)備主要特點(diǎn)：可兼容多尺寸晶圓、可實(shí)現(xiàn)多反應(yīng)腔室定制、超潔凈反應(yīng)腔室，有效控制各種污染物、整機(jī)空間環(huán)境污染物控制、射頻等離子發(fā)生器或雙頻等離子發(fā)生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。