沈陽北博電子科技有限公司
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數字化系統協同設計、MEMS工藝制造諧振工作原理健壯、本征數字輸出信號
1、主要特點
數字化系統協同設計，MEMS工藝制造的高性價比芯片
金屬剛性封裝，氣密性耐壓可靠性、穩定性、適應性健壯
無源信號歸一補償，使用互換性高
通用行業標準封裝，二次使用裝配簡捷
適于表壓、絕壓、差壓種類齊全
覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍
應用領域——與不銹鋼兼容的絕緣氣體和液體的壓力測量
2、主要技術性能指標
序號
項目
規格指標
備注
1
基準壓力量程
表壓、差壓
絕壓
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300
kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa
1*
2
過載能力
≥3倍基準量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基準量程（＞10MPa）；≥1. 25倍基準量程（≥60MPa）
2*
3
橋路電阻
3～5kΩ
4
零點輸出
≤ ±1mV
3*
5
滿量程輸出
≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準量程）
3*
6
準確度
≤ ±0.15%FS （其它基準量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；
± 0.5%FS（≤10kPa）
3*、4*
7
差壓靈敏度對稱性
≤ ±0.3%FS（典型值）
3*、4*
8
敏感芯片類型
PN結； SOI
9
工作溫度
-55～+125℃（PN結）； -55～+150℃（SOI）
10
零點熱漂移
PN結芯片：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準量程）
3*、5*
SOI芯片：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準量程）
3*、5*
11
滿量程熱漂移
PN結芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準量程）
3*、5*
SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準量程）
3*、5*
12
絕緣電阻
>100MW
8*
13
短期穩定性
≤±0.1%FS/8h（PN結敏感芯片）；≤±0.05%FS/8h（SOI敏感芯片）
3*.
14
長期穩定性
＜±0.15%FS/年（PN結敏感芯片）；＜±0.1%FS/年（SOI敏感芯片）
3*.
15
供電電源
恒流0.5或1.5mA,恒壓5V或10V
16
電氣接線
（引腳號）
紅色導線（1）
綠色導線（2）
白色導線（3）
黑色導線（4）
電源+
輸出+
輸出-
電源-
17
外形尺度
Φ20×13（mm）
Φ16×13（mm）
Φ13×20（mm）
6*
Φ20×25（mm）
7*、1*
注：1*. 可定制； 2*. 100MPa量程過載為本量程上限； 6*. 表壓、絕壓
3*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃； 7*. 差壓；
4*. 非線性數據計算為最小二乘法； 8*. 100VDC；
5*. 55℃溫區為-30～25℃或25～80℃；
注：可提供定制服務，如有需求請與營銷人員聯系。
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