上海捷鈦儀器設備有限公司
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微波等離子化學氣相沉積系統MPCVD爐原理：通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度
微波等離子化學氣相沉積系統MPCVD爐
原理：通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量硬質薄膜和晶體。
應用：
大尺寸寶石級單晶鉆石；
高取向度金剛石晶體；
納米結晶金剛石；
碳納米管/類金剛石碳 ( DLC )。
微波等離子化學氣相沉積系統MPCVD爐
產品特點
無需在樣品腔內安裝內部電極，在沉積腔內，沒有工作氣體以外的任何物質，潔凈，無污染源。等離子發生器可以保持長壽命，并可以確保腔內的等離子體的均勻分布，進一步提升晶體的純凈度和生長周期；
腔外多電極設置，確保等離子團穩定生成于腔內中心位置，對腔壁、窗口等無侵蝕作用，減少雜質來源，提高晶體純度。合成的金剛石，純度均在VVS級別以上；
電子溫度和離子溫度對中性氣體溫度之比非常高，運載氣體保持合適的溫度，因此可使基底的溫度不會過高；
微波發生器穩定易控，能在從1000Pa到室壓的高壓強環境下維持等離子體，在氣流、氣壓、氣體成分、電壓出現波動時，確保等離子體狀態的穩定，保證單晶生長的過程不被上述干擾而中斷，有利于獲得大尺寸單晶金剛石；
可以采用磁約束的方法，約束在等離子團在約定的空間內，微波結和磁路可以兼容；
安全因素高。高壓源和等離子體發生器互相隔離，微波泄漏小，容易達到輻射安全標準；
可搭配多種功率微波源和不同尺寸腔體，滿足從實驗室小型設備到工業大型裝置的不同需要。可以對300mm直徑的襯底沉積金剛石薄膜；
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