性能指標

1. 探測器：具有二次電子探測器和背散射探測器
2. 分辨率：二次電子分辨率1.8nm@1kV，1.5nm@3kV，1.2nm@10kV；背散射分辨率3.0nm@1kV，2.5nm@3kV，2.0nm@10kV
3. 加速電壓：0.1kv-12kv
4. 電子槍：Schottky場發射
5. 電流：50pA-50nA 6、圖片尺寸：512×512-12k×12k

主要應用

1. 該設備可進行超大面積高分辨、超快速和全息地圖式成像。
2. 廣泛應用于腦科學、腫瘤學和神經科學等生物醫學的高通量測繪，全面支持大規模材料表征與篩選。

樣品要求

1. 塊狀、片狀、纖維狀、粉末狀及生物超薄切片均可
2. 樣品無水、無油、干燥
3. 樣品高度≤5 mm，直徑≤100mm
4. 樣品中不得含有鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)，樣品不得具有磁性，并且不易被磁化
5. 若樣品不導電，需要進行鍍金、碳等導電膜的處理（本中心也提供鍍膜服務，但需要另行收費）。